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S-TPT-H-PT3/4

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S-TPT-H-PT3/4 技術參數

STPSC8TH13TI 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Silicon Carbide Schottky 650V 8A Through Hole TO-220-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管配置:1 對串聯二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 8A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:80μA @ 650V 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 絕緣標準包裝:50 STPSC8H065G-TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 8A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:80μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:414pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-40°C ~ 175°C 標準包裝:1 STPSC8H065DI 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:80μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 絕緣，TO-220AC 供應商器件封裝:TO-220AC ins 工作溫度 - 結:-40°C ~ 175°C 標準包裝:50 STPSC8H065D 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 8A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:80μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:414pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:-40°C ~ 175°C 標準包裝:50 STPSC8H065CT 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 4A Through Hole TO-220-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 4A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:40μA @ 650V 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STPTIC-47F1M6 STPTIC-47G2C5 STPTIC-56F1M6 STPTIC-56G2C5 STPTIC-68F1M6 STPTIC-68G2C5 STPTIC-82F1M6 STPTIC-82G2C5 STQ1553-1 STQ1553-2 STQ1553-3 STQ1553-45 STQ1553-5 STQ1HN60K3-AP STQ1HNK60R-AP STQ1NC45R-AP STQ1NK60ZR-AP STQ1NK80ZR-AP