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S34ML01G100TFI000.

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S34ML01G100TFI000.
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706
資質：營業(yè)執(zhí)照
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S34ML01G100TFI000. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

S34ML01G100TFI000. 技術參數(shù)

S34ML01G100TFI000 功能描述:閃存 1Gb 3V 25ns NAND 閃存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S34ML01G100TFB000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-1 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術:FLASH - NAND 存儲容量:1Gb （128M x 8）寫周期時間 - 字，頁:25ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商器件封裝:48-TSOP I 標準包裝:96 S34ML01G100TFA000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-1 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術:FLASH - NAND 存儲容量:1Gb （128M x 8）寫周期時間 - 字，頁:25ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商器件封裝:48-TSOP I 標準包裝:96 S34ML01G100BHI000 功能描述:閃存 1Gb 3V 25ns NAND 閃存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S3-4K7F1 功能描述:RES SMD 4.7K OHM 1% 3W 6327 制造商:riedon 系列:S 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產電阻（歐姆）:4.7k 容差:±1% 功率（W）:3W 成分:繞線特性:耐燃，防潮，脈沖耐受，安全溫度系數(shù):±20ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 275°C 封裝/外殼:6327 J 形引線供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.626" 長 x 0.272" 寬（15.90mm x 6.90mm）高度:0.268"（6.80mm）端子數(shù):2 標準包裝:1 S34ML01G200BHB003 S34ML01G200BHI000 S34ML01G200BHI003 S34ML01G200BHI500 S34ML01G200BHI503 S34ML01G200BHI900 S34ML01G200BHI903 S34ML01G200BHV000 S34ML01G200BHV003 S34ML01G200GHI000 S34ML01G200GHI003 S34ML01G200TFA000 S34ML01G200TFA003 S34ML01G200TFB000 S34ML01G200TFB003 S34ML01G200TFI000 S34ML01G200TFI003 S34ML01G200TFI500