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SMBZ2606-16LT1G

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制造商
ON Semiconductor
功能描述

SMBZ2606-16LT1G 技術參數

SMBYW04-200 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 12A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:SMC（DO-214AB）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 SMBYW02-200 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB（DO-214AA）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 SMBYW01-200 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB（DO-214AA）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 SMBYT03-400 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:SMC 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 SMBYT01-400 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 SMBZ5921B-E3/5B SMBZ5921B-M3/52 SMBZ5921B-M3/5B SMBZ5924B-E3/52 SMBZ5924B-E3/5B SMBZ5925B-E3/52 SMBZ5925B-E3/5B SMBZ5926B-E3/52 SMBZ5926B-E3/5B SMBZ5926B-M3/52 SMBZ5926B-M3/5B SMBZ5927B-E3/52 SMBZ5927B-E3/5B SMBZ5927B-M3/52 SMBZ5927B-M3/5B SMBZ5928B-E3/52 SMBZ5928B-E3/5B SMBZ5929B-E3/52