久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > S字母型號搜索 >

STB11NM60FD-1

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STB11NM60FD-1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
STMIC
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

STB11NM60FD-1
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ST
管
07+
-
假一罰十，百分百原裝正品

STB11NM60FD-1
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
I2PAK/TO-262
25+
-
國產品牌，替代進口

1/1頁 40條/頁共13條
1

您是不是要找： STB11NM60FDT4 STB11NM60N-1 STB11NM60T4 STB11NM80T4 STB120N10F4 STB120N4F6 STB120N4LF6 STB120NF10T4 STB12100TR

STB11NM60FD-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STB11NM60FD-1 PDF下載

制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全稱
STMicroelectronics
功能描述
N-channel 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET II power MOSFET

STB11NM60FD-1 技術參數

STB11NM60-1 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STB11NK50ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1390pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB11NK40ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:930pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB11N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 9A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:480 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:644pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB11N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:525V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:510 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB12-2-2 STB12-7-7 STB12NK80ZT4 STB12NM50FDT4 STB12NM50N STB12NM50ND STB12NM50T4 STB12NM60N STB12NM60N-1 STB13005-1 STB13007DT4 STB130N6F7 STB130NS04ZBT4 STB13N60M2 STB13N80K5 STB13NK60ZT4 STB13NM50N STB13NM50N-1