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STE-2000-0.56-2

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STE-2000-0.56-2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STE-2000-0.56-2 技術參數

STE180NE10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:795nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21000pF @ 25V 功率 - 最大值:360W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 STE180-75T2KI 功能描述:180μF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 75V Axial 1.5 Ohm 0.312" Dia x 0.641" L (7.92mm x 16.28mm) 制造商:vishay sprague 系列:SuperTan? Extended STE 包裝:散裝零件狀態:有效電容:180μF 容差:±10% 電壓 - 額定:75V ESR（等效串聯電阻）:1.5 歐姆類型:密封工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向大小/尺寸:0.312" 直徑 x 0.641" 長（7.92mm x 16.28mm）高度 - 安裝（最大值）:- 引線間距:- 制造商尺寸代碼:T2 特性:液態鉭不同溫度時的使用壽命:- 標準包裝:1 STE145N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:143A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 69A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:414nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18500pF @ 100V 功率 - 最大值:679W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 STE-1428116RF96 功能描述:UNIVERSAL TRANSMITTER W/LITHIUM 制造商:steute wireless 系列:- 零件狀態:在售功能:發射器調制或協議:sWave? 頻率:915MHz 應用:通用接口:- 靈敏度:- 功率 - 輸出:- 數據速率（最大值）:66kbps 特性:- 電壓 - 電源:- 標準包裝:1 STE140NF20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:140A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 70A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:338nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11100pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 STE400-100T4MI STE40NC60 STE40NK90ZD STE45NK80ZD STE4700-10T3KI STE470-75T3KI STE48NM50 STE48NM60 STE50DE100 STE53NC50 STE560-60T3KI STE6000-16T4KI STE6000-16T4MI STE70NM50 STE70NM60 STE750-75T4KI STE750-75T4MI STE88N65M5