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STF9NM60N(045Y)

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STF9NM60N(045Y)
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
50000
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TO-220F
21+
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原裝正品現貨，支持BOM配單！

STF9NM60N(045Y)
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
TO-220F
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STF9NM60N(045Y) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STF9NM60N(045Y) 技術參數

STF9NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:745 毫歐 @ 3.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:452pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF9NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:560 毫歐 @ 3.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:570pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:1,000 STF9NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 3.75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:1,000 STF9NK60ZD 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperFREDmesh? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1110pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF9N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STFI11N65M2 STFI11NM65N STFI12N60M2 STFI130N10F3 STFI13N60M2 STFI13N65M2 STFI13N80K5 STFI13N95K3 STFI13NK60Z STFI13NM60N STFI14N80K5 STFI15N60M2-EP STFI15N65M5 STFI15N95K5 STFI15NM65N STFI20N65M5 STFI20NK50Z STFI20NM65N