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STGP7NB120SD

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操作

STGP7NB120SD
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
4000
ST
TO-
08+
-
全新原裝100%正品保證質量

STGP7NB120SD
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ST
原廠原裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

STGP7NB120SD
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
4000
ST
TO-
08+
-
全新原裝100%正品保證質量

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功能描述
IGBT 晶體管 N-Ch 1200 Volt 7 Amp
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發射極最大電壓
20 V
在25 C的連續集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGP7NB120SD 技術參數

STGP7H60DF 功能描述:IGBT 600V 14A 88W TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):28A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，7A 功率 - 最大值:88W 開關能量:99μJ（開），100μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:46nC 25°C 時 Td（開/關）值:30ns/160ns 測試條件:400V，7A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:136ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STGP6NC60HD 功能描述:IGBT 600V 15A 56W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開關能量:20μJ（開），68μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:21ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STGP6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:管件零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，6A 功率 - 最大值:88W 開關能量:40μJ（開），136μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:21.2nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/86ns 測試條件:400V，6A，22 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:140ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:2,000 STGP5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 開關能量:56μJ（開），78.5μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:43nC 25°C 時 Td（開/關）值:30ns/140ns 測試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STGP4M65DF2 功能描述:IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS 制造商:stmicroelectronics 系列:M 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 開關能量:40μJ（開），136μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:15.2nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/86ns 測試條件:400V，4A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 ST-GTC-16P1-3500 ST-GTC-16P2-3500 ST-GTC-16P3-3500 ST-GTC-16S1-100-(A572) ST-GTC-16S1-3500 ST-GTC-16S2-100-(A572) ST-GTC-16S2-3500 STGW10M65DF2 STGW15H120DF2 STGW15H120F2 STGW15M120DF3 STGW15S120DF3 STGW19NC60H STGW19NC60HD STGW19NC60W STGW19NC60WD STGW20H60DF STGW20H65FB