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STN6NE06

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封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

STN6NE06-TR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
ST
SOT-223
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理，原裝正品現(xiàn)貨！！

STN6NE06-TR
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
ST
06+/07+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共10條
1

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STN6NE06 技術(shù)參數(shù)

STN690A 功能描述:TRANS NPN 30V 3A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 100mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1.6W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STN5PF02V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 2.1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:450mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:412pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STN4NF20L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STN4NF06L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STN4NF03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:330pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STN888 STN9260 STN93003 STN9360 STN951 STNRG288A STNRG288ATR STNRG328A STNRG328ATR STNRG388A STNRG388ATR STNRGPF01 STNRGPF01TR STNS01PUR STO-01-187N STO-41T-187N STOD02PUR STOD02TPUR