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STP312C-256-E

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STP312C-256-E
深圳市引芯科技發展有限公司
深圳市引芯科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：林小姐
電話：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田區福華路世貿廣場C座1106/香港辦事處:香港大理石
566
Seiko Instruments
標準封裝
25+
-
真實的資源竭誠服務您！

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： STP315N10F7 STP31N65M5 STP32N65M5 STP32NM50N STP33N60DM2 STP33N60M2 STP33N65M2 STP34N65M5 STP34NM60N

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功能描述
打印機 THERMAL PRINT HEAD
RoHS
否
制造商
Seiko Instruments
產品
Printer
電源電壓
每行點數
9 x 320
打印速度
52.5 cps, 80 cps
紙張寬度
112 mm

STP312C-256-E 技術參數

STP310N10F7 功能描述:MOSFET N CH 100V 180A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12800pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP30NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP30NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP30NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:115 毫歐 @ 13.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:94nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2740pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 STP30NM30N 功能描述:MOSFET N-CH 300V 30A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP34NM60ND STP35N60DM2 STP35N65M5 STP35NF10 STP360N4F6 STP36N55M5 STP36N60M6 STP36NF06 STP36NF06FP STP36NF06L STP38N65M5 STP3HNK90Z STP3LN62K3 STP3LN80K5 STP3N150 STP3N62K3 STP3N80K5 STP3NB100