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STP3N100XI

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數量
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封裝
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價格
說明
操作

STP3N100XI
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
10423
ST
TO-220
2025+
-
代理原裝現貨假一賠十

STP3N100XI
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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1

您是不是要找： STP3N150 STP3N62K3 STP3N80K5 STP3NB100 STP3NK100Z STP3NK50Z STP3NK60Z STP3NK60ZFP STP3NK80Z

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SOT-186VAR

STP3N100XI 技術參數

STP3LN80K5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.63nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:102pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.25 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:1,000 STP3LN62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:386pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP3HNK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:690pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 STP38N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:95 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP36NF06L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:660pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP3NK90Z STP3NK90ZFP STP400N4F6 STP40N20 STP40N60M2 STP40N65M2 STP40NF03L STP40NF10 STP40NF10L STP40NF12 STP40NF20 STP40NS15 STP410N4F7AG STP42N60M2-EP STP42N65M5 STP43N60DM2 STP45N10F7 STP45N40DM2AG