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STP75N05

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STP75N05 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STP75N05 技術參數

STP70N10F4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19.5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:85nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5800pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 STP6X2MIG 功能描述:CATEGORY 6A, 10 GB/S S/FTP PATCH 制造商:panduit corp 系列:TX6A? 10Gig? 零件狀態:在售電纜類型:圓形線纜連接器類型:插頭至插頭安裝類型:自由懸掛針腳/觸頭數:8p8c（RJ45，以太網）長度:6.56'（2.00m）屏蔽:屏蔽顏色:灰色特性:彈簧鎖，模制插頭樣式:Cat6a 標準包裝:1 STP6NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:920 毫歐 @ 2.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:420pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1 STP6NK90ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 2.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STP6NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 2.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP77N6F6 STP78N75F4 STP78NF55-08 STP7LN80K5 STP7N105K5 STP7N52DK3 STP7N52K3 STP7N60M2 STP7N65M2 STP7N80K5 STP7N90K5 STP7N95K3 STP7NB60 STP7NK30Z STP7NK40Z STP7NK40ZFP STP7NK80Z STP7NK80ZFP