久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > S字母型號搜索 >

STW61000CET1V2

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " STW61000CET1V2 " 相關的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： STW62N65M5 STW62NM60N STW65N65DM2AG STW65N80K5 STW68N60M6 STW69N65M5 STW69N65M5-4 STW6N120K3 STW6N90K5

STW61000CET1V2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STW61000CET1V2 技術參數

STW60NM50N 功能描述:MOSFET N CH 500V 68A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:68A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:178nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5790pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW60NE10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 60A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:185nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5300pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW60N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:46A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:139nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6810pF @ 100V 功率 - 最大值:255W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW5NK100Z 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 歐姆 @ 1.75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:59nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1154pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW58N65DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 48A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:48A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 24A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:88nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4100pF @ 100V 功率 - 最大值:360W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW6N95K5 STW70N10F4 STW70N60DM2 STW70N60M2 STW70N60M2-4 STW70N65M2 STW72N60DM2AG STW75N20 STW75NF20 STW75NF30 STW77N65M5 STW78N65M5 STW7N105K5 STW7N90K5 STW7N95K3 STW7NK90Z STW80H150C STW80NE06-10