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1N6628US/TR

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

1N6628US/TR
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號(hào)樓603室
330
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進(jìn)口
-
代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

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1

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功能描述
UFR,FRR
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件狀態(tài)
在售
二極管類型
標(biāo)準(zhǔn)
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
600V
電流 - 平均整流（Io）
2.3A
不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf
1.5V @ 4A
速度
快速恢復(fù) = 200mA（Io）
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
45ns
不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
2μA @ 600V
不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容
40pF @ 10V，1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SQ-MELF，E
供應(yīng)商器件封裝
D-5B
工作溫度 - 結(jié)
-65°C ~ 150°C
標(biāo)準(zhǔn)包裝
100

1N6628US/TR 技術(shù)參數(shù)

1N6628US 功能描述:DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:660V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 660V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6628 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:45ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應(yīng)商器件封裝:A-PAK 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 1N6627US 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:440V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 440V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6627 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:440V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 440V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6626US 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:220V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 220V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US 1N6636 1N6636US 1N6637 1N6637US 1N6638 1N6638US 1N6638US/TR 1N6639US 1N6640US 1N6642 1N6642U 1N6642US 1N6642US/TR