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1N6629US

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED SURFACE MOUNT ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS

1N6629US 技術參數

1N6629 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 880V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6628US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2.3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N6628US 功能描述:DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:660V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 660V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6628 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:A-PAK 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N6627US 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:440V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 440V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6634US 1N6635 1N6635US 1N6636 1N6636US 1N6637 1N6637US 1N6638 1N6638US 1N6638US/TR 1N6639US 1N6640US 1N6642 1N6642U 1N6642US 1N6642US/TR 1N6642USE3 1N6643