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2N7002BKVL

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2N7002BKVL
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
140000
NEXPERIA
價格優勢
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-
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功能描述
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
制造商
nexperia usa inc.
系列
汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
350mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
0.6nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
50pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.6 歐姆 @ 500mA，10V
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
TO-236AB
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
標準包裝
1

2N7002BKVL 技術參數

2N7002BKV,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:340mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 2N7002BKT,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:290mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:260mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 2N7002BKS/ZLX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 300MA SOT363 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:1.04W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:3,000 2N7002BKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:295mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 2N7002BKMB,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:450mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 450mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWQ-7-F 2N7002DW-TP 2N7002E 2N7002E,215 2N7002-E3 2N7002E-7-F 2N7002E-T1-E3 2N7002ET1G 2N7002E-T1-GE3 2N7002ET3G 2N7002F,215 2N7002-G 2N7002H-13 2N7002H6327XTSA2 2N7002H-7 2N7002-HF 2N7002K