- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369201 > 2SK2737 (Hitachi,Ltd.) Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SK2737 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅?通道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2SK2737 |
2SK2737
8
Package Dimensions (Unit: mm)
10.0 ± 0.3
1.0 ± 0.2
1.15 ± 0.2
0.6 ± 0.1
2.54 ± 0.5
2.54 ± 0.5
4
1
2.7 ± 0.2
4.45 ± 0.3
0.7 ± 0.1
1
1
3.2 ± 0.2
φ
2.5 ± 0.2
Hitachi Code
EIAJ
JEDEC
TO–220CFM
—
—
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2795 | Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
| 2SK2796 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2796L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2796S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2797 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2738(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK2740 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2744 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2744(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN |
| 2SK2744F | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。