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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2796 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2SK2796 |
2SK2796(L), 2SK2796(S)
4
Main Characteristics
0.2
0.5 1
Drain to Source Voltage V (V)
2
10 20
100
5
4
3
2
1
0
2
4
6
8
10
5
4
3
2
1
0
2
4
6
8
10
D
10 V 6 V
40
30
20
10
0
50
100
150
200
100
30
10
3
1
0.3
0.1
3.5 V
4 V
5 V
V = 2 V
2.5 V
3 V
Tc = 75°C
25°C
–25°C
C
Ambient Temperature Ta (°C)
Power vs. Temperature Derating
D
D
Maximum Safe Operation Area
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage V (V)
D
Typical Transfer Characteristics
V = 10 V
Pulse Test
5
50
Ta = 25°C
1ms
PW=10ms(1sho)
DCOpeaion(T =25C
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
100μs
10μs
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2796L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2796S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2797 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2735(L) | |
| 2SJ2735(S) | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2796-L(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 Bulk |
| 2SK2796L-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:N-channel MOSFET, 60V,5A,0.12ohm,DPAK-L 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 5A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(1) |
| 2SK2796S(TL-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2796S-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S) |
| 2SK2796STL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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