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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3298 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 2SK3298 |
Data Sheet D14059EJ1V0DS00
5
2SK3298
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
ch
- Channel Temperature -
C
d
0
40
20
60
100
140
80
120
160
100
80
60
40
20
0
T
C
- Case Temperature -
C
P
T
0
0
80
20
40
60
100
140
120
160
40
30
20
10
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10
100
1000
I
D
1
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
100
10
1
0.1
Powe DsspaionLmted
100
μ
s
1
ms
3
ms
10
100
ms
30
ms
PW
=
10
μ
s
R
DSon
Lmted
I
D(pulse)
I
D(DC)
T
C
= 25
C
Single Pulse
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
(
W
100 m
1
10
100
1000
10 m
1 m
100
μ
10
μ
100
10
1
0.1
0.01
R
th(ch-A)
=
62.5
C/
W
R
th(ch-C)
=
3.13
C/
W
Single Pulse
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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