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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3305 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2SK3305 |
Data Sheet D14003EJ1V0DS00
7
2SK3305
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
(10.0)
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
5
4
2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(05R
(08R
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0
3.6±0.2
φ
4
3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
5
6
1
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1) TO-220AB (MP-25)
3) TO-263 (MP-25ZJ)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
(10)
4
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1
2) TO-262 (MP-25 Fin Cut)
Remark
Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
EQUIVALENT CIRCUIT
Body
Diode
Source (S)
Drain (D)
Gate (G)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3305-S | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3305-ZJ | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3306 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3307 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3324 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3305-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 500V 5A 1500m@10V TO220AB Bulk |
| 2SK3305-S | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3305-Z(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3305-Z-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Cut Tape |
| 2SK3305-ZJ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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