久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

<strike id="ciie2"><input id="ciie2"></input></strike><del id="ciie2"></del>

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > A字母型號搜索 > A字母第2560頁 >

APTC90AM60T1G

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G APTC90DDA12T1G APTC90DSK12T1G APTC90H12SCTG APTC90H12T1G APTC90H12T2G APTC90HM60T3G APTC90SKM60CT1G

APTC90AM60T1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

APTC90AM60T1G PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MODULE - COOLMOS - Bulk

APTC90AM60T1G 技術(shù)參數(shù)

APTC90AM60SCTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:超級結(jié) 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:59A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90AM602G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:超級結(jié) 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:59A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80TDU15PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80TA15PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80SK15T1G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 28A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90SKM60T1G APTC90TAM60TPG APTCFGP1VTR APTCFGP2VTR APTCFP1VTR APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G