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APTGT200DA120D3G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGT200DA120D3G
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業執照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現貨，

APTGT200DA120D3G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APTGT200DA120D3G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
D-3 Module
23+
-
微芯專營優勢產品

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APTGT200DA120D3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTGT200DA120D3G PDF下載

功能描述
IGBT 1200V 300A 1050W D3
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGT200DA120D3G 技術參數

APTGT200A60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 625W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT200A60T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 750W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGT200A602G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 625W Chassis Mount SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP2 供應商器件封裝:SP2 標準包裝:1 APTGT200A170D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 400A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:17nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-3 模塊供應商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTGT200A120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT200H60G APTGT200SK120D3G APTGT200SK120G APTGT200SK170D3G APTGT200SK60T3AG APTGT200SK60TG APTGT200TL60G APTGT20A60T1G APTGT20DDA60T3G APTGT20DSK60T3G APTGT20H60T1G APTGT20H60T3G APTGT20TL601G APTGT20X60T3G APTGT225A170G APTGT225DA170G APTGT225DU170G APTGT225SK170G