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APTGT75DA170T1G

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批號
價格
說明
操作

APTGT75DA170T1G
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業執照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現貨，

APTGT75DA170T1G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

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您是不是要找： APTGT75DA60T1G APTGT75DDA60T3G APTGT75DH120T3G APTGT75DH120TG APTGT75DH60T1G APTGT75DH60TG APTGT75DSK60T3G APTGT75DU120TG APTGT75H120TG

APTGT75DA170T1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTGT75DA170T1G PDF下載

功能描述
IGBT 1700V 130A 465W SP1
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGT75DA170T1G 技術參數

APTGT75DA170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 120A 520W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT75DA120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.34nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT75DA120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.34nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT75DA120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:4mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5345nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT75A60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 100A 250W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT75H60T1G APTGT75H60T2G APTGT75H60T3G APTGT75SK120D1G APTGT75SK120T1G APTGT75SK120TG APTGT75SK170D1G APTGT75SK60T1G APTGT75TA120PG APTGT75TA60PG APTGT75TDU120PG APTGT75TDU60PG APTGT75TL60T3G APTGT75X60T3G APTGTQ100A65T1G APTGTQ100DA65T1G APTGTQ100DDA65T3G APTGTQ100H65T3G