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APTML202UM18R010T3AG

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Linear MOSFET Power Module

APTML202UM18R010T3AG 技術(shù)參數(shù)

APTML10UM09R004T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 154A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:154A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:9875pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 69.5A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML102UM09R004T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:154A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 69.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:9875pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML100U60R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:720 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6000pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML1002U60R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:720 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6000pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC60TLM55CT3AG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（三級(jí)反相器） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:55A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:98nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 1000V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ APTS003A0X-SRDZ APTS003A0X-SRZ APTS006A0X4-SRZ APTS006A0X-SRDZ APTS006A0X-SRZ APTS012A0X3-SRDZ

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