久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > A字母型號搜索 > A字母第2570頁 >

APTML20UM18R010T1AG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D

APTML20UM18R010T1AG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTML20UM18R010T1AG PDF下載

制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Linear MOSFET Power Module

APTML20UM18R010T1AG 技術參數(shù)

APTML202UM18R010T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:109A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9880pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTML10UM09R004T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 154A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:154A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9875pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 69.5A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標準包裝:1 APTML102UM09R004T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:154A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 69.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9875pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTML100U60R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:720 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6000pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTML1002U60R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:720 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6000pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ APTS003A0X-SRDZ APTS003A0X-SRZ APTS006A0X4-SRZ APTS006A0X-SRDZ APTS006A0X-SRZ APTS012A0X3-SRDZ APTS012A0X3-SRZ