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BSN254A,126

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封裝
批號
價格
說明
操作

BSN254A,126
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
PH
原廠封裝
NULL
-
全新原裝100%正品保證質量

BSN254A,126
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
PH
原廠封裝
13+
-

BSN254A,126
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
70000
PHILIPS/NXP
SOT54.V
2025+
-
代理商庫房現貨

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功能描述
MOSFET AMMORA MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSN254A,126 技術參數

BSN254,126 功能描述:MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:310mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 300mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BSN22-M 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 22-26 AWG Yellow 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝零件狀態:有效端子類型:對接接頭，直插式，單獨開口進線數:2 端接:壓接線規:22-26 AWG 絕緣:完全絕緣特性:- 顏色:黃標準包裝:1,000 BSN22-C 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 22-26 AWG Yellow 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝零件狀態:有效端子類型:對接接頭，直插式，單獨開口進線數:2 端接:壓接線規:22-26 AWG 絕緣:完全絕緣特性:- 顏色:黃標準包裝:100 BSN20Q-7 功能描述:MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 BSN20BKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:265mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.49nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSO080P03NS3EGXUMA1 BSO080P03NS3GXUMA1 BSO080P03S H BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SNTMA1 BSO083N03MSGXUMA1 BSO094N03S BSO104N03S BSO110N03MSGXUMA1 BSO119N03S BSO130N03MSGXUMA1 BSO130P03S H BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SNTMA1 BSO150N03 BSO150N03MD G BSO150N03MDGXUMA1 BSO200N03