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BSO207PHXUMA1

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BSO207PHXUMA1
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
250000
INFINEON
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

BSO207PHXUMA1
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
TY/臺灣半導體
SOP8
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BSO207PHXUMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
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一級代理.原裝特價現貨！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8-Pin DSO Dry
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
P-KANAL - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8

BSO207PHXUMA1 技術參數

BSO204PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 60μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1513pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO203SPNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2265pF @ 15V 功率 - 最大值:2.35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO203SPHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3750pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8.9A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:P-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:1 BSO203SP H 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8.9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3750pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO203PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8.2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8.2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:48.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2242pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO301SPNTMA1 BSO303P H BSO303PHXUMA1 BSO303PNTMA1 BSO303SPHXUMA1 BSO303SPNTMA1 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1