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BSO615CT

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批號
價格
說明
操作

BSO615CT
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
637
10+
-
假一罰十，百分百原裝正品，質量保障

BSO615CT
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
LNFINEON
SOP-8
最新批號
-
代理此型號，原裝特價現貨！！

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1

您是不是要找： BSO615N BSO615N G BSO615NGHUMA1 BSOF3S3E-010.0M BSP 51 E6327 BSP 52 E6327 BSP 60 E6433 BSP030,115 BSP100,135

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BSO615CT PDF下載

功能描述
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 陣列
系列
SIPMOS®
產品目錄繪圖
8-SOIC Mosfet Package
標準包裝
1
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
3A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫歐 @ 4.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.4W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝
PowerPAK? SO-8
包裝
Digi-Reel®
產品目錄頁面
1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
SI7948DP-T1-GE3DKR

BSO615CT 技術參數

BSO615CGHUMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.1A，2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 3.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 基本零件編號:BSO615 標準包裝:1 BSO615C G 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.1A，2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 3.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO613SPVGHUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.44A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:875pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 3.44A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:1 BSO613SPV G 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.44A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 3.44A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:875pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO613SPV 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.44A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 3.44A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:875pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSP110,115 BSP122,115 BSP123E6327T BSP123L6327HTSA1 BSP125 E6327 BSP125 E6433 BSP125H6327XTSA1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135 BSP129E6327 BSP129E6327T BSP129H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1 BSP129L6327HTSA1 BSP129L6906HTSA1