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CSD19536KTTT

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    現貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯系人:陳先生 13360533550

    電話:0755-83289799

    地址:深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質:營業執照

  • 42244

  • TI(德州儀器)

  • 22+

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  • 原裝原廠現貨

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  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標準封裝

  • 15+

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  • 百分百原裝假一罰十

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD19536KTTT
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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 500

  • TI

  • TO-2633

  • 15+

  • -
  • 全新原裝現貨

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 320335

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD19536KTTT
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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 0

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 場效應管

  • CSD19536KTTT
    CSD19536KTTT

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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 320335

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD19536KTTT
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 320335

  • TI

  • con

  • 24+

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  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

  • 320335

  • TI

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  • 24+

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  • 優勢庫存,原裝正品

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 100V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 200A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 2.4 毫歐 @ 100A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 153nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 12000pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 375W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-4,D2Pak(3 引線+接片),TO-263AA
  • 供應商器件封裝
  • DDPAK/TO-263-3
  • 標準包裝
  • 1
CSD19536KTTT 技術參數
  • CSD19536KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):153nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):12000pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):375W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 100A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線 + 接片),TO-263AA 標準包裝:1 CSD19536KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):150A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.7 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):153nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12000pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19535KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):98nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7930pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線+接片),TO-263AA 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD19535KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):98nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7930pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 100A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線 + 接片),TO-263AA 標準包裝:1 CSD19535KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):150A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):101nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7930pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD201610 CSD20166 CSD20168 CSD20168SS CSD202010 CSD202012 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT CSD23201W10
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