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CSD19538Q2

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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    CSD19538Q2

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    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人:陳先生 13360533550

    電話:0755-83289799

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路漢國城市商業(yè)中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 36779

  • TI(德州儀器)

  • 22+

  • -
  • 原裝原廠現(xiàn)貨

  • CSD19538Q2
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  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • TI/德州儀器

  • WSON6

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • CSD19538Q2
    CSD19538Q2

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 320340

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • CSD19538Q2
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:18724450645

    地址:中國上海

  • 320340

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • CSD19538Q2T
    CSD19538Q2T

    CSD19538Q2T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD19538Q2
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  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 33000

  • TI

  • WSON6

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • CSD19538Q2
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  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 150

  • TI

  • SON6

  • 21+

  • -
  • 全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

  • CSD19538Q2
    CSD19538Q2

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 320340

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
CSD19538Q2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET NCH 100V 14.4A SON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 14.4A(Ta)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 6V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 5.6nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 454pF @ 50V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 2.5W(Ta), 20.2W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 59 毫歐 @ 5A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • 6-WSON(2x2)
  • 封裝/外殼
  • 6-WDFN 裸露焊盤
  • 標準包裝
  • 1
CSD19538Q2 技術(shù)參數(shù)
  • CSD19537Q3T 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):50A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14.5 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD19537Q3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):50A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14.5 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD19536KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):153nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12000pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線+接片),TO-263AA 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD19536KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):153nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):12000pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):375W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 100A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線 + 接片),TO-263AA 標準包裝:1 CSD19536KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):150A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.7 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):153nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12000pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD20168SS CSD202010 CSD202012 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT CSD23201W10 CSD23202W10 CSD23202W10T CSD23203W
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