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EPC2105ENG

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封裝
批號
價格
說明
操作

EPC2105ENGRT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

EPC2105ENG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
600
EPC
散裝
1521+
-
全新原裝現貨

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1

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功能描述
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
散裝
零件狀態
有效
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
GaNFET（氮化鎵）
漏源極電壓（Vdss）
80V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
9.5A，38A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
14.5 毫歐 @ 20A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
2.5nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
300pF @ 40V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
標準包裝
10

EPC2105ENG 技術參數

EPC2105 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9.5A，38A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.5 毫歐 @ 20A，5V，3.4 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.5nC @ 5V，10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:300pF @ 40V，1100pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2104ENGRT 功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:新產品 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2104ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:10 EPC2104 功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:800pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2103ENGRT 功能描述:TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7600pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2111 EPC2111ENGRT EPC2801 EPC2815 EPC2818 EPC2LC20 EPC2LC20N EPC2LI20 EPC2LI20N EPC2TC32 EPC2TC32N EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002