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SIE820DF-T1-E3

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封裝
批號
價格
說明
操作

SIE820DF-T1-E3
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
Vishay
標準封裝
07+
-
全新原裝100%正品保證質量

SIE820DF-T1-E3
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業執照
36000
VISHAY
10-PolarPAK
15+
-
進口原裝!現貨供應,可開增值稅發票

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SIE820DF-T1-E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

SIE820DF-T1-E3 PDF下載

功能描述
MOSFET 20V 50A 104W 3.5mohm @ 4.5V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

SIE820DF-T1-E3 技術參數

SIDEGIG-GUITAREVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售技術:磁耦合通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:管件零件狀態:在售技術:磁耦合通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:48 SIE844DF-T1-E3 SIE844DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-E3 SIE848DF-T1-GE3 SIE854DF-T1-E3 SIE854DF-T1-GE3 SIE860DF-T1-E3 SIE860DF-T1-GE3 SIE862DF-T1-GE3 SIE864DF-T1-GE3 SIE868DF-T1-GE3 SIE874DF-T1-GE3 SIE876DF-T1-GE3 SIE878DF-T1-GE3 SIE882DF-T1-GE3 SI-EPD006460EU SI-EPD006550KR SI-EPD006570WW