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參數資料
| 型號： | IRF-182UH+/-10% |
| 廠商： | VISHAY DALE |
| 元件分類： | 通用定值電感 |
| 英文描述： | 1 ELEMENT, 82 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| 封裝： | AXIAL LEADED |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 122K |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF-30.82UH+/-20% | 1 ELEMENT, 0.82 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| IRF-240.39UH+/-10% | 1 ELEMENT, 0.39 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| IRF-24120UH+/-5% | 1 ELEMENT, 120 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| IRF-2433UH+/-10% | 1 ELEMENT, 33 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| IRF-24390UH+/-10% | 1 ELEMENT, 390 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF1902 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V) |
| IRF1902GPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF1902GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 4.2A 85mOhm 5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF1902PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 85mOhms 5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF1902TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 4.2A 85mOhm 5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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