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參數(shù)資料
| 型號： | IRF830SPBF |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大小： | 329K |
| 代理商： | IRF830SPBF |
www.irf.com
9
3
4
4
TRR
FEED DIRECTION
1.85 (.073)
1.65 (.065)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
TRL
FEED DIRECTION
10.90 (.429)
10.70 (.421)
16.10 (.634)
15.90 (.626)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
13.50 (.532)
12.80 (.504)
330.00
(14.173)
MAX.
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
MAX.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
NOTES :
1. COMFORMS TO EIA-418.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
D
2
Pak Tape & Reel Infomation
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IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
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.
07/04
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBC30L | 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| IRFBL18N50KPBF | 18 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFC9110 | 100 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFC9240PBF | 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFC9130 | 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF830STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF830STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF830STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF830STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF831 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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