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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MC68HC11E1 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | 8-channel, 8-bit analog-to-digital (A/D) converter |
| 中文描述： | 8通道，8位模擬至數(shù)字（A / D）轉(zhuǎn)換器 |
| 文件頁數(shù)： | 60/268頁 |
| 文件大小： | 2221K |
| 代理商： | MC68HC11E1 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁當(dāng)前第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁
Operating Modes and On-Chip Memory
Data Sheet
M68HC11E Family — Rev. 5
60
Operating Modes and On-Chip Memory
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
MOTOROLA
EPGM — EPROM/OTPROM/EEPROM Programming Voltage Enable Bit
0 = Programming voltage to EEPROM array switched off
1 = Programming voltage to EEPROM array switched on
During EEPROM programming, the ROW and BYTE bits of PPROG are not used.
If the frequency of the E clock is 1 MHz or less, set the CSEL bit in the OPTION
register. Recall that 0s must be erased by a separate erase operation before
programming. The following examples of how to program an EEPROM byte
assume that the appropriate bits in BPROT are cleared.
PROG
LDAB
STAB
STAA
#$02
$103B
$XXXX
EELAT = 1
Set EELAT bit
Store data to EEPROM address
(for valid EEPROM address see memory
map for each device)
EELAT = 1, EPGM = 1
Turn on programming voltage
Delay 10 ms
Turn off high voltage and set
to READ mode
LDAB
STAB
JSR
CLR
#$03
$103B
DLY10
$103B
2.5.1.3 EEPROM Bulk Erase
This is an example of how to bulk erase the entire EEPROM. The CONFIG register
is not affected in this example.
BULKE
LDAB
STAB
STAA
#$06
$103B
$XXXX
EELAT = 1, ERASE = 1
Set to BULK erase mode
Store data to any EEPROM address (for
valid EEPROM address see memory map
for each device)
EELAT = 1, EPGM = 1, ERASE = 1
Turn on high voltage
Delay 10 ms
Turn off high voltage and set
to READ mode
LDAB
STAB
JSR
CLR
#$07
$103B
DLY10
$103B
2.5.1.4 EEPROM Row Erase
This example shows how to perform a fast erase of large sections of EEPROM.
ROWE
LDAB
STAB
STAB
LDAB
STAB
JSR
CLR
#$0E
$103B
0,X
#$0F
$103B
DLY10
$103B
ROW = 1, ERASE = 1, EELAT = 1
Set to ROW erase mode
Write any data to any address in ROW
ROW = 1, ERASE = 1, EELAT = 1, EPGM = 1
Turn on high voltage
Delay 10 ms
Turn off high voltage and set
to READ mode
F
Freescale Semiconductor, Inc.
n
.
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