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參數資料
| 型號： | MC908QL4V |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | Microcontrollers |
| 中文描述： | 微控制器 |
| 文件頁數： | 35/222頁 |
| 文件大小： | 2861K |
| 代理商： | MC908QL4V |
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FLASH Memory (FLASH)
MC68HC908QL4 MC68HC908QL3 MC68HC908QL2 Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
35
2.6.1 FLASH Control Register
The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase operations.
HVEN — High Voltage Enable Bit
This read/write bit enables high voltage from the charge pump to the memory for either program or
erase operation. It can only be set if either PGM =1 or ERASE =1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation.
1 = Mass erase operation selected
0 = Mass erase operation unselected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is interlocked with the PGM bit
such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. PGM is interlocked with the ERASE
bit such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation unselected
Bit 7
6
5
4
3
2
1
Bit 0
Read:
0
0
0
0
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
0
0
0
0
0
0
0
0
= Unimplemented
Figure 2-3. FLASH Control Register (FLCR)
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PDF描述 |
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參數描述 |
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