- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371077 > MC9S12DG128B (Motorola, Inc.) MC9S12DT128B PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MC9S12DG128B |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | MC9S12DT128B |
| 中文描述： | MC9S12DT128B |
| 文件頁數(shù)： | 97/124頁 |
| 文件大小： | 577K |
| 代理商： | MC9S12DG128B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁當(dāng)前第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁
MC9S12DT128B Device User Guide — V01.07
97
A.3 NVM, Flash and EEPROM
NOTE:
Unless otherwise noted the abbreviation NVM (Non Volatile Memory) is used for
both Flash and EEPROM.
A.3.1 NVM timing
The time base for all NVM program or erase operations is derived from the oscillator. A minimum
oscillator frequency f
NVMOSC
is required for performing program or erase operations. The NVM modules
do not have any means to monitor the frequency and will not prevent program or erase operation at
frequencies above or below the specified minimum. Attempting to program or erase the NVM modules at
a lower frequency a full program or erase transition is not assured.
The Flash and EEPROM program and erase operations are timed using a clock derived from the oscillator
using the FCLKDIV and ECLKDIV registers respectively. The frequency of this clock must be set within
the limits specified as f
NVMOP
.
The minimum program and erase times shown in
Table A-11
are calculated for maximum f
NVMOP
and
maximum f
bus
. The maximum times are calculated for minimum f
NVMOP
and a f
bus
of 2MHz.
A.3.1.1 Single Word Programming
The programming time for single word programming is dependant on the bus frequency as a well as on
the frequency f¨
NVMOP
and can be calculated according to the following formula.
t
swpgm
f
NVMOP
A.3.1.2 Burst Programming
ThisappliesonlytotheFlashwhereupto32wordsinarowcanbeprogrammedconsecutivelyusingburst
programming by keeping the command pipeline filled. The time to program a consecutive word can be
calculated as:
The time to program a whole row is:
Burst programming is more than 2 times faster than single word programming.
9
--------1
25
1
f
bus
----------
+
=
t
bwpgm
4
1
f
NVMOP
---------------------
9
1
f
bus
----------
+
=
t
brpgm
t
swpgm
31 t
bwpgm
+
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S12DG128BCFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DG128BCPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DG128BMFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DG128BMPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DG128BVFU | MC9S12DT128B |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC9S12DG128BCFU | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 25MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| MC9S12DG128BCPV | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 25MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| MC9S12DG128BMFU | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MC9S12DG128BVFU | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 25MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| MC9S12DG128CFU | 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。