- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371077 > MC9S12DT128BMPV (MOTOROLA INC) MC9S12DT128B PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MC9S12DT128BMPV |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | MC9S12DT128B |
| 中文描述： | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| 封裝： | LQFP-112 |
| 文件頁數： | 86/124頁 |
| 文件大小： | 577K |
| 代理商： | MC9S12DT128BMPV |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁當前第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁
MC9S12DT128B Device User Guide — V01.07
86
A device will be defined as a failure if after exposure to ESD pulses the device no longer meets the device
specification. Complete DC parametric and functional testing is performed per the applicable device
specification at room temperature followed by hot temperature, unless specified otherwise in the device
specification.
Table A-2 ESD and Latch-up Test Conditions
A.1.7 Operating Conditions
This chapter describes the operating conditions of the device. Unless otherwise noted those conditions
apply to all the following data.
NOTE:
Please refer to the temperature rating of the device (C, V, M) with regards to the
ambient temperature T
A
and the junction temperature T
J
. For power dissipation
Model
Description
Symbol
Value
Unit
Human Body
Series Resistance
R1
1500
Ohm
Storage Capacitance
C
100
pF
Number of Pulse per pin
positive
negative
–
–
3
3
Machine
Series Resistance
R1
0
Ohm
Storage Capacitance
C
200
pF
Number of Pulse per pin
positive
negative
–
–
3
3
Latch-up
Minimum input voltage limit
–2.5
V
Maximum input voltage limit
7.5
V
Table A-3 ESD and Latch-Up Protection Characteristics
Num
C
Rating
Symbol
Min
Max
Unit
1
C Human Body Model (HBM)
V
HBM
2000
–
V
2
C Machine Model (MM)
V
MM
200
–
V
3
C Charge Device Model (CDM)
V
CDM
500
–
V
4
C
Latch-up Current at 125
°
C
positive
negative
I
LAT
+100
–100
–
mA
5
C
Latch-up Current at 27
°
C
positive
negative
I
LAT
+200
–200
–
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S12DT128BVFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DT128BVPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DP512 | 16-Bit Microcontroller |
| MC9S12D | 16-Bit Microcontroller |
| MC9S12DT128 | 16-Bit Microcontroller |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC9S12DT128BVPV | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 25MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DT128CPV | 功能描述:IC MCU 128K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HCS12 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數:21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數據轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| MC9S12DT128CPVE | 功能描述:16位微控制器 - MCU 128K FLASH HCS12 MCU EPP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DT128MPV | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MC9S12DT128MPVE | 功能描述:16位微控制器 - MCU 128K FLASH HCS12 MCU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。