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參數資料
| 型號： | MD2219 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON |
| 中文描述： | 雙放大器NPN硅晶體管 |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | MD2219 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MD3250 | CGrid SMT Shd Hdr Tin 14Ckt |
| MD3250A | DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
| MD3250AF | DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
| MD3251 | DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
| MD3251A | DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MD2219A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MD2219AF | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MD2310FX | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI VLT NPN PWR TRANS STANDARD DEF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MD2369 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Dual Transistors |
| MD2369A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Leaded Small Signal Transistor Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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