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參數資料
| 型號： | MGSF1N03LT3G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23 |
| 中文描述： | 1600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| 封裝： | MINIATURE, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | MGSF1N03LT3G |
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
D
J
K
L
A
C
B S
H
G
V
3
1
2
CASE 318–08
ISSUE AE
SOT–23 (TO–236AB)
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
MIN
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0180
0.0350
0.0830
0.0177
MAX
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0236
0.0401
0.0984
0.0236
MIN
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.45
0.89
2.10
0.45
MAX
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.60
1.02
2.50
0.60
MILLIMETERS
INCHES
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
STYLE 21:
PIN 1.
GATE
SOURCE
DRAIN
2.
3.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGSF1N03LT3 | CHOKE, POWER, SHIELDED, 4.7UH; Inductor type:Shielded Power Choke; Inductance:4.7uH; Tolerance, inductance:+/-30%; Resistance:35mR; Frequency, resonant:42MHz; Case style:SMD Shielded; Q factor:8; Material, core:Ferrite DR/RI; RoHS Compliant: Yes |
| MGSF1P02LT1 | P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET |
| MGSF1P02ELT1 | Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
| MGSF1P02ELT3 | Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
| MGSF1P02LT3 | Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MGSF1P02 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Power MOSFET P-Channel |
| MGSF1P02ELT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
| MGSF1P02ELT3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
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| MGSF1P02LT3 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
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