- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371104 > MGSF1P02ELT1 (ON SEMICONDUCTOR) Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MGSF1P02ELT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
| 中文描述： | 750 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| 封裝： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | MGSF1P02ELT1 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
R
(
R
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.35
0.5
0.55
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 5. On–Resistance Variation with Temperature
0.8
1
0.001
0.1
1
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. Gate Charge
VSD, DIODE FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Body Diode Forward Voltage
I
25
°
C
VGS = 4.5 V
VGS = 10 V
ID = 1.5 A
–55
–5
45
95
145
TJ = 150
°
C
0.45
0.85
0.9
0.95
0
0.2
0.4
0.6
1.8
0.4
0.01
–55
°
C
25
°
C
0.8
Figure 8. Capacitance
R
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.2
0.32
0.36
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
VGS = 10 V
0.28
0.24
V
0
10
6
2
0
QT, TOTAL GATE CHARGE (pC)
8
4
1000
6000
VDS = 16 V
TJ = 25
°
C
2000
ID = 1.5 A
3000
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (Volts)
C
0
4
8
10
2
6
Ciss
Coss
Crss
1000
100
VGS = 0 V
f = 1 MHz
TJ = 25
°
C
10
0.1
0.3
0.5
0.7
150
°
C
–55
°
C
0.4
0.3
0.34
0.26
0.22
0.38
0.2
0.6
1
1.4
1.05
1.25
1.1
1.15
1.2
VGS = 4.5 V
ID = .75 A
5000
4000
1
1.2
1.4
1.6
150
°
C
25
°
C
–55
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGSF1P02ELT3 | Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
| MGSF1P02LT3 | Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts |
| MGSF1P02LT3 | P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET |
| MGSF3441XT1 | Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single P-Channel Field Effect Transistors |
| MGSF3441XT3 | Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single P-Channel Field Effect Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MGSF1P02ELT3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
| MGSF1P02LT1 | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| MGSF1P02LT3 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
| MGSF2N02E | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 |
| MGSF2N02EL | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。