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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MH16S72VJB-6 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 1,207,959,552-BIT ( 16,777,216-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1207959552位（16,777,216字72位）同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/52頁(yè) |
| 文件大小： | 1045K |
| 代理商： | MH16S72VJB-6 |
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MH16S72AMA -8,-10,-12
1207959552-BIT (16777216 - WORD BY 72-BIT)SynchronousDRAM
MITSUBISHI LSIs
( / 52 )
18
MITSUBISHI
ELECTRIC
5. Mar.1997
Preliminary Spec.
Some contents are subject to change without notice.
MIT-DS-0128-0.0
Dual Bank Interleaving READ (BL=4, CL=3)
CK
Command
A0-9,11
A10
BA0,1
DQ
ACT
Xa
Xa
0
READ
Y
0
0
READ
Y
0
1
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qb0
Qb1
Qb2
ACT
Xb
Xb
1
PRE
0
0
tRCD
/CAS latency
Burst Length
READ with Auto-Precharge (BL=4, CL=3)
CK
Command
A10
DQ
ACT
Xa
Xa
0
READ
Y
1
0
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
ACT
Xa
Xa
0
Internal precharge begins
tRCD
tRP
READ Auto-Precharge Timing (BL=4)
CK
Command
ACT
READ
Internal Precharge Start Timing
DQ
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
DQ
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
CL=3
CL=2
A0-9,11
BA0,1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MH16S72APHB-6 | 1,207,959,552-BIT (16,777,216 - WORD BY 72-BIT)Synchronous DRAM |
| MH16S72APHB-7 | 1,207,959,552-BIT (16,777,216 - WORD BY 72-BIT)Synchronous DRAM |
| MH16S72APHB-8 | 1,207,959,552-BIT (16,777,216 - WORD BY 72-BIT)Synchronous DRAM |
| MH16S72BAMD-10 | 1207959552-BIT (16777216 - WORD BY 72-BIT)SynchronousDRAM |
| MH16S72BAMD-6 | 1,207,959,552-BIT ( 16,777,216-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MH16TAD | 制造商:MTRONPTI 制造商全稱:MTRONPTI 功能描述:8 pin DIP, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS/TTL Clock Oscillator |
| MH16TAD-R | 制造商:MTRONPTI 制造商全稱:MTRONPTI 功能描述:8 pin DIP, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS/TTL Clock Oscillator |
| MH16TAG | 制造商:MTRONPTI 制造商全稱:MTRONPTI 功能描述:8 pin DIP, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS/TTL Clock Oscillator |
| MH16TAG-R | 制造商:MTRONPTI 制造商全稱:MTRONPTI 功能描述:8 pin DIP, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS/TTL Clock Oscillator |
| MH16TBD | 制造商:MTRONPTI 制造商全稱:MTRONPTI 功能描述:8 pin DIP, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS/TTL Clock Oscillator |
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