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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT2222ALT3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors |
| 中文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 253K |
| 代理商： | MMBT2222ALT3 |
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 11. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
V
0
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 10 V
Figure 12. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–0.5
0
+0.5
C
–1.0
–1.5
–2.5
°
RVC for VCE(sat)
RVB for VBE
0.1
1.0 2.0
5.0
10
20
50
0.2
0.5
100
200
500 1.0 k
1.0 V
–2.0
0.1
1.0 2.0
5.0
10
20
50
0.2
0.5
100 200
500
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2222ALT3G | General Purpose Transistors |
| MMBT2222LT1G | General Purpose Transistors |
| MMBT2222LT3 | General Purpose Transistors |
| MMBT2222L | General Purpose Transistors |
| MMBT2222AWT1 | General Purpose Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT2222ALT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ALT3NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS |
| MMBT2222AM3T5G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS SOT723 GP TRANSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ANL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| MMBT2222ARF | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:300mW, NPN Small Signal Transistor |
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