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參數資料
| 型號： | MMBT2222AWT1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | General Purpose Transistor |
| 中文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | MMBT2222AWT1 |
7
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
D
J
K
L
A
C
B S
H
G
V
3
1
2
CASE 318–08
SOT–23 (TO–236AB)
ISSUE AE
STYLE 6:
PIN 1.
BASE
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
MIN
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0180
0.0350
0.0830
0.0177
MAX
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0236
0.0401
0.0984
0.0236
MIN
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.45
0.89
2.10
0.45
MAX
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.60
1.02
2.50
0.60
MILLIMETERS
INCHES
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2222LT1 | General Purpose Transistors |
| MMBT2222AK | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| MMBT2222 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| MMBT2222A | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| MMBT2222ALT1 | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT2222AWT1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor |
| MMBT2222AWT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222AWT1GOSDKR-ND | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MMBT2222AWT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT2222AWT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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