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參數資料
| 型號： | MMBT2484 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| 中文描述： | 迷你型離散半導體元件 |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 291K |
| 代理商： | MMBT2484 |
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued) (TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
250
—
—
800
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0.1 mAdc)
VCE(sat)
—
0.35
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(on)
—
0.95
Vdc
Output Capacitance
(VCB = 5.0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
6.0
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
6.0
pF
Noise Figure
(IC = 10 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 10 k
, f = 1.0 kHz, BW = 200 Hz)
NF
—
3.0
dB
RS
in
en
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2484LT1 | Low Noise Transistor(NPN Silicon) |
| MMBT2907AWT1 | General Purpose Transistor |
| MMBT2907 | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| MMBT2907ALT3 | General Purpose Transistors |
| MMBT2907ALT3G | General Purpose Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT2484_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2484LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2484LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2484LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS LN XSTR NPN 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT28S | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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