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參數資料
| 型號： | MMBT2484LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Low Noise Transistor(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 低噪聲晶體管（NPN硅） |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 291K |
| 代理商： | MMBT2484LT1 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 2. Effects of Frequency
f, FREQUENCY (Hz)
7.0
10
20
30
5.0
Figure 3. Effects of Collector Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 5. Wideband Noise Figure
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
3.0
10
NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25
°
C)
NOISE VOLTAGE
e
e
I
N
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k
10 k 20 k
50 k 100 k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
BANDWIDTH = 1.0 Hz
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
300
μ
A
30
μ
A
RS
≈
0
3.0 mA
1.0 mA
7.0
10
20
30
5.0
3.0
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
RS
≈
0
f = 10 Hz
100 Hz
1.0 kHz
10 kHz
100 kHz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300
μ
A
100
μ
A
10
μ
A
RS
≈
0
10
7.0
10
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
0.1
0.2
0.3
1.0
0.7
0.5
2.0
3.0
5.0
10
20
50 100 200
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
0
4.0
8.0
12
16
20
BANDWIDTH = 10 Hz to 15.7 kHz
IC = 1.0 mA
500
μ
A
100
μ
A
10
μ
A
100 Hz NOISE DATA
300
200
100
70
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
10
20
50 100 200
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
V
N
0
4.0
8.0
12
16
20
Figure 6. Total Noise Voltage
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300
μ
A
100
μ
A
30
μ
A
10
μ
A
10
20
50 100 200
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
IC = 10 mA
300
μ
A
100
μ
A
30
μ
A
3.0 mA
1.0 mA
10
μ
A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
Figure 7. Noise Figure
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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