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參數資料
| 型號： | MMBT4125 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| 中文描述： | 迷你型離散半導體元件 |
| 文件頁數： | 4/15頁 |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | MMBT4125 |
NPN
Part
or
BVCBO
BVCEO
IC
PD
fT
PIN
Number
PNP
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(V)
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(mW)
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IB
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CBE
CBE
CBE
CBE
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110
Maximum Ratings
Electrical Characteristics (Ta=25°C)
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VCE(sat)
Min
Max
TO-92
(P.31)
P.14
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDT1036 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MMDT1037 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MMDT2222 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MMDT2411 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MMDT2412 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT4125LT1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
| MMBT4126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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