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參數資料
| 型號： | MMBT5088LT1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Low Noise Transistors |
| 中文描述： | 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件頁數： | 14/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 500K |
| 代理商： | MMBT5088LT1 |
PBL
-
+
A
B
C
E
G
H
D
PBU
-
~
~
+
B
C
D
H
M
N
P
A
E
L
K
J
G
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
18.50
Max
19.50
15.40
16.40
6.50
19.00
6.20
4.60
5.60
1.50
2.00
1.30 Typical
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Min
22.70
Max
23.70
3.80
4.10
4.20
4.70
1.70
2.20
10.30
11.30
4.50
6.80
4.80
5.80
19.30
25.40
16.80
17.80
6.60
7.10
4.70
5.20
1.20
1.30
KBJ
A
B
D
J
K
C
E
H
L
M
N
P
R
C
E
H
J
K
L
M
N
P
+
A
B
D
KBP
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
14.25
Max
14.75
10.20
10.60
2.29 Typical
14.25
14.73
3.56
0.86
0.76
0.86
1.17
2.8 X 45
°
Chamfer
0.80
1.42
J
K
L
M
N
P
1.10
3.35
3
°
Nominal
2
°
Nominal
0.30
3.65
0.64
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
Min
24.80
Max
25.20
14.70
15.30
4.00 Nominal
17.20
17.80
0.90
1.10
7.30
3.10
3.40
3.30
7.70
3.70
1.50
1.90
9.30
9.70
2.50
2.90
3.40
3.80
4.40
4.80
0.60
0.80
Dim
A
B
C
D
E
G
H
I
J
K
L
M
N
P
R
S
Min
29.70
Max
30.30
19.70
20.30
17.00
18.00
3.80
4.20
7.30
7.70
7.30 7.70
2.00
2.40
0.90
1.10
2.30
3.0 X 45
°
4.40
2.70
4.80
3.40
3.80
3.10
3.40
2.50
2.90
0.60
0.80
10.80
11.20
GBJ
_
B
C
D
E
E
G
H
K
J
I
L
M
N
P
R
S
A
GBU
-
~
~
+
A
B
K
D
E
F
G
H
J
M
N
P
L
C
GBU
Min
21.8
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Max
22.3
3.5
4.1
7.4
7.9
1.65
2.16
2.25
2.75
1.02
1.27
4.83
5.33
17.5
3.2 X 45
°
18.3
18.0
18.8
3.30
3.56
0.46
0.56
0.76
1.0
P.33
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5089LT1 | Low Noise Transistors |
| MMBT6429LT1 | Amplifier Transistors |
| MMBTH10LT1 | VHF/UHF Transistor |
| MMBT6517LT1 | 1.8V, High CMR, RRIO Op Amp 14-SOIC -40 to 125 |
| MMBT5088 | NPN General Purpose Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT5088LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 35V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5089 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5089LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5089LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5179 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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