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參數資料
| 型號： | MMBT5089LT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Low Noise Transistors |
| 中文描述： | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AF |
| 封裝： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數： | 8/15頁 |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | MMBT5089LT1 |
NPN
Part
or
BVCBO
BVCEO
IC
PD
fT
PIN
Number
PNP
Ta=25°C
Current
R1
R2
(V)
(V)
(mA)
(mW)
IC
VCE
Max
resistance
resistance
MHz
(mA)
(V)
(mA)
(
)
(
)
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DTC144TUS3
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(P.29)
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5
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BCE
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BCE
BCE
BCE
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-
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22K
22K
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-50
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-100
150
56
-
-5
-5
-0.36
22K
22K
250
Min
Max
SOT-523
(P.28)
Maximum Ratings
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INPUT
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N+P
N+P
SOT-563
(P.29)
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N+P
N+P
BCA124ES6R
N+P
N+P
N+P
BCA114ES6R
N+P
P.18
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6429LT1 | Amplifier Transistors(NPN Silicon) |
| MMBT8099LT1 | Amplifier Transistor |
| MMBT6517LT1 | High Voltage Transistor(NPN Silicon) |
| MMBT5088LT1 | Low Noise Transistors |
| MMBT5089LT1 | Low Noise Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT5089LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5179 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MMBT5179_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5210 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5210 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
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