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參數資料
| 型號： | MMBT6429LT1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistors |
| 中文描述： | 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件頁數： | 15/15頁 |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | MMBT6429LT1 |
MB-W / KBPC-W
K
A
M
N
H
H
L
P
A
P
(AC)
(AC)
( - )
( + )
MB / KBPC
Dim
Min
28.40
Max
28.70
A
B
C
E
G
10.97
11.23
15.50
17.60
22.86
25.40
13.30
15.30
H
Hole for #10 screw
4.85
17.10
5.59
19.10
J
K
L
M
N
P
10.40
12.40
1.07
11.23
0.97
Nominal
30.50
10.97
17.10
19.10
C
A
G
E
B
H
(AC)
(AC)
(+)
( - )
H
J
A
C
MP-W / GBPC-W
C
A
G
E
B
H
(AC)
(AC)
(+)
( - )
H
J
A
C
K
A
M
N
H
H
L
P
A
P
(AC)
(AC)
( - )
( + )
MP / GBPC
Dim
Min
28.30
Max
28.80
A
B
C
E
G
7.40
8.00
16.10
17.10
18.80
21.30
13.80
14.80
H
Hole for #10 screw
4.85
17.60
5.59
18.60
J
K
L
M
N
P
10.90
0.97
26.4
11.90
1.07
8.00
7.40
17.60
18.60
PBPC-8
A
E
G
J
H
C
B
A
E
D
AC
AC
+
-
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
18.54
Max
19.56
6.35
7.60
22.20
1.27
Typical
5.33
3.60
12.70 Typical
2.38 X 45
°
Typical
7.37
4.00
J
PBPC-3
A
E
G
H
C
B
A
D
AC
AC
+
-
Dim
A
B
C
D
E
Min
14.73
Max
15.75
5.84
6.86
19.00
0.76
Typical
1.70
Hole for #6
screw
3.60
2.70
G
4.00
H
10.30
11.30
P.34
SINYORK CO., LTD.
RM.11 , 3RD Floor No.2 , Fu-Hsing N. RD. ,
Taipei , Taiwan , R.O.C
TEL : +886-2-2740-8097
FAX : +886-2-2752-9638
E-mail : sinyork@ms38.hinet.net
Website : www.sinyork.com.tw
Company :
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTH10LT1 | VHF/UHF Transistor |
| MMBT6517LT1 | 1.8V, High CMR, RRIO Op Amp 14-SOIC -40 to 125 |
| MMBT5088 | NPN General Purpose Amplifier |
| MMBT5089 | Inductor RoHS Compliant: Yes |
| MMBTH10 | NPN RF Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT6429LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 55V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6515 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6515_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6517LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6517LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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