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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT6517LT1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1.8V, High CMR, RRIO Op Amp 14-SOIC -40 to 125 |
| 中文描述： | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件頁數(shù)： | 3/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 500K |
| 代理商： | MMBT6517LT1 |
NPN
Part
or
BVCBO
BVCEO
IC
PD
fT
PIN
Number
PNP
Ta=25°C
(V)
(V)
(mA)
(mW)
IC
VCE
Max
IC
IB
MHz
(mA)
(V)
(V)
(mA)
(mA)
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MMBTA44
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SC5094
SOT-89
(P.32)
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300
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-
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10
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2
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BCE
BCE
BCE
BCE
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BCE
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-
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-30
-500
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-
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-100
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PNP
-300
-300
-500
225
40
-
-10
-10
-0.5
-20
-2
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-
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-
-
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TO-92
(P.31)
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BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
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30
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EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
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-1
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80
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150
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-0.5
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100
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-20
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10K
100K
100
5
1.5
100
0.1
125
NPN
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60
600
625
100
300
150
10
1
500
50
300
Maximum Ratings
Electrical Characteristics (Ta=25°C)
hFE
VCE(sat)
Min
Max
SOT-23
(P.28)
P.13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5088 | NPN General Purpose Amplifier |
| MMBT5089 | Inductor RoHS Compliant: Yes |
| MMBTH10 | NPN RF Transistor |
| MMBT6517 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:D38999/20; No. of Contacts:41; Connector Shell Size:21; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Body Style:Straight RoHS Compliant: No |
| MMBT5089LT1 | Low Noise Transistors(NPN Silicon) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT6517LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6517LT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MMBT Series 350 V 100 mA SMT NPN Silicon Transistor - SOT-23 |
| MMBT6517LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6517LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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